PULSION 等离子浸没式等离子注入设备

类型:离子注入设备
咨询电话:010-84195588
技术特色
◆超低能量、超高剂量:能量低至20eV(Option)、剂量1E14-1E18 at/cm3
◆占地面积小,节省空间:占地面积比普通的线束离子注入节约50%
◆易于工艺整合:兼容标准的PR剥离,可靠的计量控制,沉积和刻蚀控制,
◆无能量污染 
◆更灵活:适用范围广,从小样片到300mm的晶圆, 同时适用于3D结构样片
 
应用举例
◆S/D 或 多晶硅掺杂(DRAM、FLASH)
◆3D掺杂:如FINFET、沟槽
◆大功率器件的背接触掺杂
◆CMOS图像传感器、光电二极管、UV探测器
◆太阳能电池:可提高电池的转换效率
◆材料的表面处理:如增强材料表面的硬度、附着力、抗腐蚀及耐磨性等
◆材料改性:如硅纳米晶合成、渗氮、氢化