P600科研型分子束外延系统

类型:分子束外延系统
咨询电话:010-84195588
关键指标:
◆可移动的源法兰和上下分体式冷屏
◆可配备12个源口
◆冷屏可在1个工作日内更换
◆可用于外延生长GaAs, GaSb, InP, CdTe, HgCdTe, ZnO and GaN材料
◆适用于用于4”, 3”,2”衬底尺寸
 
介绍:
P600科研型MBE配有垂直生长室,生长室有12个泄流源或者其它源的接口。
P600型MBE可配有手动线性晶片传递系统,也可配有全自动的中心分配室(CDC)实现全自动的晶片传递。 
P600型MBE生长室配有可移动的源法兰。该设计把生长室分成上下两个部分,可彻底的清理冷屏上的沉积物。生长室的冷屏具有非常大的表面积和容积,确保在生长过程中能够快速从砷源切换到磷源。